پیام فرستادن
خونه > محصولات > ترانزیستور اثر میدانی > NTZD3152PT1G ترانزیستورهای اثر میدانی ترانزیستورهای FETها آرایه های MOSFET

NTZD3152PT1G ترانزیستورهای اثر میدانی ترانزیستورهای FETها آرایه های MOSFET

دسته بندی:
ترانزیستور اثر میدانی
قیمت:
Negotiable
روش پرداخت:
T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
مشخصات
شماره قطعه:
NTZD3152PT1G
سازنده:
نیمه هادی روشن
شرح:
MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-563
دسته بندی:
ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
خانواده:
ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
مقدمه

مشخصات NTZD3152PT1G

وضعیت قطعه فعال
نوع FET 2 کانال P (دوگانه)
ویژگی FET استاندارد
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 20 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 430 میلی آمپر
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 900 میلی اهم با 430 میلی آمپر، 4.5 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID 1 ولت @ 250 µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 175pF @ 16V
قدرت - حداکثر 250 میلی وات
دمای عملیاتی -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب نصب سطحی
بسته / مورد SOT-563, SOT-666
بسته دستگاه تامین کننده SOT-563
حمل و نقل UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط کارخانه جدید اورجینال.

بسته بندی NTZD3152PT1G

تشخیص

NTZD3152PT1G ترانزیستورهای اثر میدانی ترانزیستورهای FETها آرایه های MOSFETNTZD3152PT1G ترانزیستورهای اثر میدانی ترانزیستورهای FETها آرایه های MOSFETNTZD3152PT1G ترانزیستورهای اثر میدانی ترانزیستورهای FETها آرایه های MOSFETNTZD3152PT1G ترانزیستورهای اثر میدانی ترانزیستورهای FETها آرایه های MOSFET

ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
Negotiable