پیام فرستادن
خونه > محصولات > ترانزیستور اثر میدانی > DMN601WKQ-7 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

DMN601WKQ-7 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

دسته بندی:
ترانزیستور اثر میدانی
قیمت:
Negotiable
روش پرداخت:
T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
مشخصات
شرح:
ماسفت N-CH 60V 300MA SOT323
شماره قطعه:
DMN601WKQ-7
سازنده:
دیودهای گنجانده شده
دسته بندی:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
خانواده:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سلسله:
خودرو، AEC-Q101
مقدمه

مشخصات DMN601WKQ-7

وضعیت قطعه فعال
نوع FET کانال N
فن آوری ماسفت (اکسید فلز)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 60 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 300 میلی آمپر (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) 4.5 ولت، 10 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID 2.5 ولت @ 1 میلی آمپر
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs -
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 50pF @ 25V
Vgs (حداکثر) ± 20 ولت
ویژگی FET -
اتلاف نیرو (حداکثر) 200mW (Ta)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 2 اهم @ 500 میلی آمپر، 10 ولت
دمای عملیاتی -65 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب نصب سطحی
بسته دستگاه تامین کننده SOT-323
بسته / مورد SC-70، SOT-323
حمل و نقل UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط کارخانه جدید اورجینال.

بسته بندی DMN601WKQ-7

تشخیص

DMN601WKQ-7 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکDMN601WKQ-7 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکDMN601WKQ-7 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکDMN601WKQ-7 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
Negotiable