پیام فرستادن
خونه > محصولات > ترانزیستور اثر میدانی > RSU002P03T106 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

RSU002P03T106 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

دسته بندی:
ترانزیستور اثر میدانی
قیمت:
Negotiable
روش پرداخت:
T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
مشخصات
شرح:
MOSFET P-CH 30V 0.25A SOT-323
شماره قطعه:
RSU002P03T106
سازنده:
نیمه هادی Rohm
دسته بندی:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
خانواده:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
مقدمه

مشخصات RSU002P03T106

وضعیت قطعه نه برای طرح های جدید
نوع FET کانال پی
فن آوری ماسفت (اکسید فلز)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 30 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 250 میلی آمپر (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) 4 ولت، 10 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID 2.5 ولت @ 1 میلی آمپر
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs -
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 30pF @ 10V
Vgs (حداکثر) ± 20 ولت
ویژگی FET -
اتلاف نیرو (حداکثر) 200mW (Ta)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 1.4 اهم @ 250 میلی آمپر، 10 ولت
دمای عملیاتی 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب نصب سطحی
بسته دستگاه تامین کننده UMT3
بسته / مورد SC-70، SOT-323
حمل و نقل UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط کارخانه جدید اورجینال.

بسته بندی RSU002P03T106

تشخیص

RSU002P03T106 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکRSU002P03T106 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکRSU002P03T106 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکRSU002P03T106 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
Negotiable