پیام فرستادن
خونه > محصولات > ترانزیستور اثر میدانی > BUK6607-55C,118 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

BUK6607-55C,118 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

دسته بندی:
ترانزیستور اثر میدانی
قیمت:
Negotiable
روش پرداخت:
T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
مشخصات
شرح:
ماسفت N-CH 55V 100A D2PAK
شماره قطعه:
BUK6607-55C,118
سازنده:
Nexperia USA Inc.
دسته بندی:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
خانواده:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سلسله:
خودرو، AEC-Q101، TrenchMOS™
مقدمه

BUK6607-55C,118 مشخصات

وضعیت قطعه فعال
نوع FET کانال N
فن آوری ماسفت (اکسید فلز)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 55 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 100A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) 10 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID 2.8 ولت @ 1 میلی آمپر
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs 82nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 5160pF ​​@ 25V
Vgs (حداکثر) ± 16 ولت
ویژگی FET -
اتلاف نیرو (حداکثر) 158 وات (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 6.5 میلی اهم @ 25 آمپر، 10 ولت
دمای عملیاتی -55 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب نصب سطحی
بسته دستگاه تامین کننده D2PAK
بسته / مورد TO-263-3، D²Pak (2 سرنخ + برگه)، TO-263AB
حمل و نقل UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط کارخانه جدید اورجینال.

بسته بندی BUK6607-55C,118

تشخیص

BUK6607-55C,118 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکBUK6607-55C,118 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکBUK6607-55C,118 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکBUK6607-55C,118 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
Negotiable