پیام فرستادن
خونه > محصولات > ترانزیستور اثر میدانی > TPH3206LDGB ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

TPH3206LDGB ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

دسته بندی:
ترانزیستور اثر میدانی
قیمت:
Negotiable
روش پرداخت:
T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
مشخصات
شماره قطعه:
TPH3206LDGB
سازنده:
ترانسفورم
شرح:
CASCODE GAN FET 600V 17A PQFN88
دسته بندی:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
خانواده:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
مقدمه

مشخصات TPH3206LDGB

وضعیت قطعه فعال
نوع FET کانال N
فن آوری GaNFET (گالیوم نیترید)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 600 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 17A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) 8 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID 2.6 ولت @ 500 µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs 9.3nC @ 4.5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 760pF @ 480V
Vgs (حداکثر) ± 18 ولت
ویژگی FET -
اتلاف نیرو (حداکثر) 96 وات (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 180 میلی اهم @ 11 آمپر، 8 ولت
دمای عملیاتی -55 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب نصب سطحی
بسته دستگاه تامین کننده PQFN (8x8)
بسته / مورد 3-PowerDFN
حمل و نقل UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط کارخانه جدید اورجینال.

بسته بندی TPH3206LDGB

تشخیص

TPH3206LDGB ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکTPH3206LDGB ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکTPH3206LDGB ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکTPH3206LDGB ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
Negotiable