پیام فرستادن
خونه > محصولات > ترانزیستور اثر میدانی > SCT3080ALGC11 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

SCT3080ALGC11 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

دسته بندی:
ترانزیستور اثر میدانی
قیمت:
Negotiable
روش پرداخت:
T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
مشخصات
شماره قطعه:
SCT3080ALGC11
سازنده:
نیمه هادی Rohm
شرح:
ماسفت N-CH 650V 30A TO247
دسته بندی:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
خانواده:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
مقدمه

مشخصات SCT3080ALGC11

وضعیت قطعه فعال
نوع FET کانال N
فن آوری ماسفت (اکسید فلز)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 650 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 30A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) 18 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID 5.6 ولت @ 5 میلی آمپر
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs 48nC @ 18V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 571pF @ 500V
Vgs (حداکثر) +22 ولت، -4 ولت
ویژگی FET -
اتلاف نیرو (حداکثر) 134 وات (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 104 میلی اهم @ 10 آمپر، 18 ولت
دمای عملیاتی 175 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب از طریق سوراخ
بسته دستگاه تامین کننده TO-247N
بسته / مورد TO-247-3
حمل و نقل UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط کارخانه جدید اورجینال.

بسته بندی SCT3080ALGC11

تشخیص

SCT3080ALGC11 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکSCT3080ALGC11 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکSCT3080ALGC11 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکSCT3080ALGC11 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
Negotiable