پیام فرستادن
خونه > محصولات > ترانزیستور اثر میدانی > IXTH48N65X2 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

IXTH48N65X2 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

دسته بندی:
ترانزیستور اثر میدانی
قیمت:
Negotiable
روش پرداخت:
T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
مشخصات
شماره قطعه:
IXTH48N65X2
سازنده:
IXYS
شرح:
ماسفت N-CH 650V 48A TO-247
دسته بندی:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
خانواده:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
مقدمه

مشخصات IXTH48N65X2

وضعیت قطعه فعال
نوع FET کانال N
فن آوری ماسفت (اکسید فلز)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 650 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 48A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) 10 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID 4.5 ولت @ 4 میلی آمپر
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs 77nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 4420pF @ 25V
Vgs (حداکثر) ± 30 ولت
ویژگی FET -
اتلاف نیرو (حداکثر) 660 وات (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 68 میلی اهم @ 24 آمپر، 10 ولت
دمای عملیاتی -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب از طریق سوراخ
بسته دستگاه تامین کننده TO-247
بسته / مورد TO-247-3
حمل و نقل UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط کارخانه جدید اورجینال.

بسته بندی IXTH48N65X2

تشخیص

IXTH48N65X2 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکIXTH48N65X2 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکIXTH48N65X2 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکIXTH48N65X2 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
Negotiable