BSC079N03LSCGATMA1 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک
مشخصات
شماره قطعه:
BSC079N03LSCGATMA1
سازنده:
فن آوری های Infineon
شرح:
ماسفت N-CH 30V 14A 8TDSON
دسته بندی:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
خانواده:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سلسله:
OptiMOS™
مقدمه
مشخصات BSC079N03LSCGATMA1
وضعیت قطعه | فعال |
---|---|
نوع FET | کانال N |
فن آوری | ماسفت (اکسید فلز) |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 30 ولت |
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد | 14A (Ta)، 50A (Tc) |
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5 ولت، 10 ولت |
Vgs(th) (Max) @ ID | 2.2 ولت @ 250 µA |
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 19nC @ 10V |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1600pF @ 15V |
Vgs (حداکثر) | ± 20 ولت |
ویژگی FET | - |
اتلاف نیرو (حداکثر) | 2.5 وات (Ta)، 30 وات (Tc) |
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 7.9 میلی اهم @ 30 آمپر، 10 ولت |
دمای عملیاتی | -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ) |
نوع نصب | نصب سطحی |
بسته دستگاه تامین کننده | PG-TDSON-8 |
بسته / مورد | 8-PowerTDFN |
حمل و نقل | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
شرایط | کارخانه جدید اورجینال. |
بسته بندی BSC079N03LSCGATMA1
تشخیص
ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
Negotiable