پیام فرستادن
خونه > محصولات > ترانزیستور اثر میدانی > BSC079N03LSCGATMA1 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

BSC079N03LSCGATMA1 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

دسته بندی:
ترانزیستور اثر میدانی
قیمت:
Negotiable
روش پرداخت:
T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
مشخصات
شماره قطعه:
BSC079N03LSCGATMA1
سازنده:
فن آوری های Infineon
شرح:
ماسفت N-CH 30V 14A 8TDSON
دسته بندی:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
خانواده:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سلسله:
OptiMOS™
مقدمه

مشخصات BSC079N03LSCGATMA1

وضعیت قطعه فعال
نوع FET کانال N
فن آوری ماسفت (اکسید فلز)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 30 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 14A (Ta)، 50A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) 4.5 ولت، 10 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID 2.2 ولت @ 250 µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs 19nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 1600pF @ 15V
Vgs (حداکثر) ± 20 ولت
ویژگی FET -
اتلاف نیرو (حداکثر) 2.5 وات (Ta)، 30 وات (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 7.9 میلی اهم @ 30 آمپر، 10 ولت
دمای عملیاتی -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب نصب سطحی
بسته دستگاه تامین کننده PG-TDSON-8
بسته / مورد 8-PowerTDFN
حمل و نقل UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط کارخانه جدید اورجینال.

بسته بندی BSC079N03LSCGATMA1

تشخیص

BSC079N03LSCGATMA1 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکBSC079N03LSCGATMA1 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکBSC079N03LSCGATMA1 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکBSC079N03LSCGATMA1 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
Negotiable