پیام فرستادن
خونه > محصولات > ترانزیستور اثر میدانی > DMG4468LFG-7 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

DMG4468LFG-7 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

دسته بندی:
ترانزیستور اثر میدانی
قیمت:
Negotiable
روش پرداخت:
T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
مشخصات
شرح:
MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8
شماره قطعه:
DMG4468LFG-7
سازنده:
دیودهای گنجانده شده
دسته بندی:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
خانواده:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
مقدمه

مشخصات DMG4468LFG-7

وضعیت قطعه فعال
نوع FET کانال N
فن آوری ماسفت (اکسید فلز)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 30 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 7.62A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) 4.5 ولت، 10 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID 2 ولت @ 250 µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs 18.85nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 867pF @ 10V
Vgs (حداکثر) ± 20 ولت
ویژگی FET -
اتلاف نیرو (حداکثر) 990mW (Ta)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 15 میلی اهم @ 11.6 آمپر، 10 ولت
دمای عملیاتی -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب نصب سطحی
بسته دستگاه تامین کننده U-DFN3030-8
بسته / مورد 8-PowerUDFN
حمل و نقل UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط کارخانه جدید اورجینال.

بسته بندی DMG4468LFG-7

تشخیص

DMG4468LFG-7 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکDMG4468LFG-7 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکDMG4468LFG-7 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکDMG4468LFG-7 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
Negotiable