پیام فرستادن
خونه > محصولات > ترانزیستور اثر میدانی > 2N7002L ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

2N7002L ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

دسته بندی:
ترانزیستور اثر میدانی
قیمت:
Negotiable
روش پرداخت:
T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
مشخصات
شرح:
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
شماره قطعه:
2N7002L
سازنده:
نیمه هادی Fairchild/ON
دسته بندی:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
خانواده:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
مقدمه

مشخصات 2N7002L

وضعیت قطعه فعال
نوع FET کانال N
فن آوری ماسفت (اکسید فلز)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 60 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 115 میلی آمپر (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) 5 ولت، 10 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID 2.5 ولت @ 250 µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs -
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 50pF @ 25V
Vgs (حداکثر) ± 20 ولت
ویژگی FET -
اتلاف نیرو (حداکثر) 200mW (Ta)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 7.5 اهم @ 500 میلی آمپر، 10 ولت
دمای عملیاتی -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب نصب سطحی
بسته دستگاه تامین کننده SOT-23-3
بسته / مورد TO-236-3، SC-59، SOT-23-3
حمل و نقل UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط کارخانه جدید اورجینال.

بسته بندی 2N7002L

تشخیص

2N7002L ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک2N7002L ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک2N7002L ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک2N7002L ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
Negotiable