2N7002ET1G ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک
دسته بندی:
ترانزیستور اثر میدانی
قیمت:
Negotiable
روش پرداخت:
T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
مشخصات
شرح:
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
شماره قطعه:
2N7002ET1G
سازنده:
نیمه هادی روشن
دسته بندی:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
خانواده:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
مقدمه
مشخصات 2N7002ET1G
| وضعیت قطعه | فعال |
|---|---|
| نوع FET | کانال N |
| فن آوری | ماسفت (اکسید فلز) |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 60 ولت |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد | 260 میلی آمپر (Ta) |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5 ولت، 10 ولت |
| Vgs(th) (Max) @ ID | 2.5 ولت @ 250 µA |
| شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 0.81nC @ 5V |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 26.7pF @ 25V |
| Vgs (حداکثر) | ± 20 ولت |
| ویژگی FET | - |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 300 میلی وات (Tj) |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 2.5 اهم @ 240 میلی آمپر، 10 ولت |
| دمای عملیاتی | -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ) |
| نوع نصب | نصب سطحی |
| بسته دستگاه تامین کننده | SOT-23-3 (TO-236) |
| بسته / مورد | TO-236-3، SC-59، SOT-23-3 |
| حمل و نقل | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| شرایط | کارخانه جدید اورجینال. |
بسته بندی 2N7002ET1G
تشخیص
ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
Negotiable