2N7002ET1G ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

دسته بندی:

ترانزیستور اثر میدانی

قیمت:

قابل مذاکره

روش پرداخت:

T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram

مشخصات

شماره قطعه:

2N7002ET1G

سازنده:

نیمه هادی روشن

شرح:

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23

دسته بندی:

ترانزیستور - FET، ماسفت - تک

خانواده:

ترانزیستور - FET، ماسفت - تک

مقدمه

وضعیت قطعه	فعال
نوع FET	کانال N
فن آوری	ماسفت (اکسید فلز)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد	260 میلی آمپر (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5 ولت، 10 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID	2.5 ولت @ 250 µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs	0.81nC @ 5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	26.7pF @ 25V
Vgs (حداکثر)	± 20 ولت
ویژگی FET	-
اتلاف نیرو (حداکثر)	300 میلی وات (Tj)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	2.5 اهم @ 240 میلی آمپر، 10 ولت
دمای عملیاتی	-55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب	نصب سطحی
بسته دستگاه تامین کننده	SOT-23-3 (TO-236)
بسته / مورد	TO-236-3، SC-59، SOT-23-3
حمل و نقل	UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط	کارخانه جدید اورجینال.