پیام فرستادن
خانه محصولاتترانزیستور اثر میدانی

BSO215C ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs MOSFET آرایه

چت IM آنلاین در حال حاضر

BSO215C ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs MOSFET آرایه

BSO215C ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs MOSFET آرایه
BSO215C ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs MOSFET آرایه

تصویر بزرگ :  BSO215C ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs MOSFET آرایه

جزئیات محصول:
محل منبع: اصل
پرداخت:
مقدار حداقل تعداد سفارش: قابل مذاکره
قیمت: Negotiable
زمان تحویل: قابل مذاکره
شرایط پرداخت: T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
قابلیت ارائه: 100000

BSO215C ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs MOSFET آرایه

شرح
شماره قطعه: BSO215C سازنده: فن آوری های Infineon
شرح: ماسفت N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC دسته بندی: ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
خانواده: ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها سلسله: SIPMOS®

مشخصات BSO215C

وضعیت قطعه منسوخ شده
نوع FET N و P-Channel
ویژگی FET دروازه سطح منطقی
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 20 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 3.7A
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 100 میلی اهم @ 3.7 آمپر، 10 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID 2V @ 10μA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs 11.5nC @ 10V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 246pF @ 25V
قدرت - حداکثر 2 وات
دمای عملیاتی -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب نصب سطحی
بسته / مورد 8-SOIC (0.154 اینچ عرض 3.90 میلی متر)
بسته دستگاه تامین کننده 8-SO
حمل و نقل UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط کارخانه جدید اورجینال.

بسته بندی BSO215C

تشخیص

BSO215C ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs MOSFET آرایه 0BSO215C ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs MOSFET آرایه 1BSO215C ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs MOSFET آرایه 2BSO215C ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs MOSFET آرایه 3

اطلاعات تماس
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

تماس با شخص: Darek

تلفن: +8615017926135

ارسال درخواست خود را به طور مستقیم به ما (0 / 3000)