پیام فرستادن
خانه محصولاتترانزیستور اثر میدانی

ترانزیستورهای اثر میدانی STL65DN3LLH5 ترانزیستورهای FETs MOSFET آرایه‌ها

چت IM آنلاین در حال حاضر

ترانزیستورهای اثر میدانی STL65DN3LLH5 ترانزیستورهای FETs MOSFET آرایه‌ها

ترانزیستورهای اثر میدانی STL65DN3LLH5 ترانزیستورهای FETs MOSFET آرایه‌ها
ترانزیستورهای اثر میدانی STL65DN3LLH5 ترانزیستورهای FETs MOSFET آرایه‌ها

تصویر بزرگ :  ترانزیستورهای اثر میدانی STL65DN3LLH5 ترانزیستورهای FETs MOSFET آرایه‌ها

جزئیات محصول:
محل منبع: اصل
پرداخت:
مقدار حداقل تعداد سفارش: قابل مذاکره
قیمت: Negotiable
زمان تحویل: قابل مذاکره
شرایط پرداخت: T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
قابلیت ارائه: 100000

ترانزیستورهای اثر میدانی STL65DN3LLH5 ترانزیستورهای FETs MOSFET آرایه‌ها

شرح
شماره قطعه: STL65DN3LLH5 سازنده: STMicroelectronics
شرح: ماسفت 2N-CH 30V 65A POWERFLAT دسته بندی: ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
خانواده: ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها سلسله: STripFET™ V

مشخصات STL65DN3LLH5

وضعیت قطعه فعال
نوع FET 2 کانال N (دوگانه)
ویژگی FET دروازه سطح منطقی
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 30 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 65A
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 6.5 میلی اهم @ 9.5 آمپر، 10 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID 1.5 ولت @ 250 µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs 12nC @ 4.5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 1500pF @ 25V
قدرت - حداکثر 60 وات
دمای عملیاتی -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب نصب سطحی
بسته / مورد 8-PowerVDFN
بسته دستگاه تامین کننده PowerFlat™ (5x6)
حمل و نقل UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط کارخانه جدید اورجینال.

بسته بندی STL65DN3LLH5

تشخیص

ترانزیستورهای اثر میدانی STL65DN3LLH5 ترانزیستورهای FETs MOSFET آرایه‌ها 0ترانزیستورهای اثر میدانی STL65DN3LLH5 ترانزیستورهای FETs MOSFET آرایه‌ها 1ترانزیستورهای اثر میدانی STL65DN3LLH5 ترانزیستورهای FETs MOSFET آرایه‌ها 2ترانزیستورهای اثر میدانی STL65DN3LLH5 ترانزیستورهای FETs MOSFET آرایه‌ها 3

اطلاعات تماس
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

تماس با شخص: Darek

تلفن: +8615017926135

ارسال درخواست خود را به طور مستقیم به ما (0 / 3000)