پیام فرستادن
خونه > محصولات > ترانزیستور اثر میدانی > SCT3160KLGC11 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

SCT3160KLGC11 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

دسته بندی:
ترانزیستور اثر میدانی
قیمت:
Negotiable
روش پرداخت:
T/T، L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram
مشخصات
شرح:
ماسفت NCH 1.2KV 17A TO247N
شماره قطعه:
SCT3160KLGC11
سازنده:
نیمه هادی Rohm
دسته بندی:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
خانواده:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
مقدمه

مشخصات SCT3160KLGC11

وضعیت قطعه فعال
نوع FET کانال N
فن آوری SiCFET (سیلیکون کاربید)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) 1200 ولت (1.2 کیلو ولت)
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد 17A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) 18 ولت
Vgs(th) (Max) @ ID 5.6 ولت @ 2.5 میلی آمپر
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs 42nC @ 18V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 398pF @ 800V
Vgs (حداکثر) +22 ولت، -4 ولت
ویژگی FET -
اتلاف نیرو (حداکثر) 103 وات (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 208 میلی اهم @ 5 آمپر، 18 ولت
دمای عملیاتی 175 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع نصب از طریق سوراخ
بسته دستگاه تامین کننده TO-247N
بسته / مورد TO-247-3
حمل و نقل UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
شرایط کارخانه جدید اورجینال.

بسته بندی SCT3160KLGC11

تشخیص

SCT3160KLGC11 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکSCT3160KLGC11 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکSCT3160KLGC11 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تکSCT3160KLGC11 ترانزیستور اثر میدانی ترانزیستور FETs ماسفت تک

ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
Negotiable